Bismuth Antimony Telluride (BiSbTe) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular (Price Upon Request)

Bismuth Antimony Telluride (BiSbTe) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular (Price Upon Request)

Nanostore の Bismuth Antimony Telluride (BiSbTe) スパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、および実験室での薄膜成膜に用いる純度 99.99% の熱電カルコゲナイド PVD ソース材料です。 研究、開発、小ロットのプロセス検討向けに円形ターゲット形状で提供され、クリーンな取り扱い、寸法の安定性、一貫した材料同一性が重視される用途に適しています。 価格は、選択される寸法およびその時点の材料市況により最終費用が変動するため、お問い合わせに応じてご案内いたします。

主な特長

ソース材料
ソース組成の管理と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、99.99% Purity 仕様で提供されます。

円形ターゲット形状
円形直径は、2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 2.8 inch diameter (71 mm), 5.75 inch diameter (146 mm) などをご用意しています。厚さおよびマウントのオプションには、選択する構成に応じて、3 mm thick, 4 mm thick, 3 mm + 3 mm Cu backing, 4 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing (75 mm diameter), 6 mm thick, 6 mm + 6 mm Cu backing (150 mm diameter) などがあります。

管理された加工と検査
ターゲットの製作工程には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。 組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法により裏付けられます。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包を施したうえで、成膜用途向けに準備されます。 乾燥環境で密封保管し、清浄な手袋で取り扱い、装着前には油分、粉塵、湿気などによる表面汚染との直接接触を避けてください。

技術仕様

材質: Bismuth Antimony Telluride (BiSbTe)
純度／組成: 99.99% Purity
形状: Circular sputtering target
対応直径: 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 2.8 inch diameter (71 mm), 5.75 inch diameter (146 mm)
対応厚さ／バッキングオプション: 3 mm thick, 4 mm thick, 3 mm + 3 mm Cu backing, 4 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing (75 mm diameter), 6 mm thick, 6 mm + 6 mm Cu backing (150 mm diameter)
対応装置: Single-target sputtering systems, multi-target sputtering systems, ion sputtering systems, and magnetron sputtering equipment
梱包: Protective target packaging for laboratory shipment and storage

主な用途

– Bi-Sb-Te 薄膜の成膜；熱電材料の研究；カルコゲナイド半導体膜の研究；テルル化ビスマスアンチモン PVD プロセス開発
– 大学・産業界・パイロットスケールでの薄膜プロセス開発

バッキングとマウントに関する注記

選択可能な構成には、接合された銅製バッキングプレートに加え、仕様に応じて磁性シムが含まれ、熱伝達特性の調整、マウント支持、マグネトロンスパッタリング用カソードとの適合性向上に寄与します。バッキング付きターゲットをご注文の際は、事前にカソードの形状とクランプのクリアランスをご確認ください。