Tellurium (Te) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular

Tellurium (Te) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular

Nanostore の Tellurium (Te) スパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、および実験室での薄膜成膜に用いる純度 99.99% の半金属材料 PVD ソース材料です。 研究、開発、小ロットのプロセス検討向けに円形ターゲット形状で提供され、クリーンな取り扱い、寸法の安定性、一貫した材料同一性が重視される用途に適しています。

主な特長

ソース材料
ソース組成の管理と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、純度 99.99% で提供されます。

円形ターゲット形状
円形直径は、1 inch diameter (25.4 mm), 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.94 inch diameter (100 mm) などをご用意しています。厚さおよびマウントのオプションには、選択する構成に応じて、3 mm thick, 4 mm thick, 5 mm thick, 6 mm thick, 6.35 mm thick などがあります。

管理された加工と検査
ターゲットの製作工程には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。 組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法により裏付けられます。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包を施したうえで、成膜用途向けに準備されます。 乾燥環境で密封保管し、清浄な手袋で取り扱い、装着前には油分、粉塵、湿気などによる表面汚染との直接接触を避けてください。

材料特性と技術指標

以下の材料物性値は、材料選定、ソース装填、プロセス設計、薄膜成膜評価のための参考技術指標として提供しています：

– 元素記号: Te

– CAS番号: 13494-80-9

– 密度: 6.24 g·cm⁻³

– 物理状態: solid

– 融点: 449.51°C

– 沸点: 988°C

– 融解熱: 17.49 kJ·mol⁻¹

– 蒸発熱: 114.1 kJ·mol⁻¹

– 比熱容量: 25.73 J·mol⁻¹·K⁻¹

– 磁気秩序: diamagnetic

– 熱伝導率: 1.97-3.38 W·m⁻¹·K⁻¹

– 音速（細棒）: (20 °C) 2610 m/s

– ヤング率: 43 GPa

– せん断弾性率: 16 GPa

– 体積弾性率: 65 GPa

– モース硬度: 2.25

– ブリネル硬度: 182 MPa

主な用途

– テルル薄膜の成膜；カルコゲナイドおよび熱電材料の研究；半導体化合物薄膜の研究；Te PVD プロセス開発
– 大学・産業界・パイロットスケールでの薄膜プロセス開発