SiO₂ Alignment Mark Wafer (Cr Number Pattern on Si)

SiO₂ Alignment Mark Wafer (Cr Number Pattern on Si (100))

この熱酸化シリコン（SiO₂）ウェハーには、アライメント、位置特定、微細加工用途向けに設計された、フォトリソグラフィによるクロム数字パターンが形成されています。

パターン形成面は、電気化学マッピング、MEMS デバイス開発、リソグラフィトレーニング、微小電極のアライメントのための、インデックス付きマイクロスケール位置決めを可能にします。

ウェハー仕様

直径: 4 inch
方位: Si (100)
抵抗率: < 0.1 Ω·cm
タイプ: N-type または P-type
表面: 片面研磨、両面酸化膜

酸化膜厚オプション：
100 nm
300 nm
500 nm

パターン仕様

基本グリッド: 1 ユニットあたり 10 × 10 mm
1 ユニットあたり 100 個の数字マーカー
マーカー間隔: 900 µm
数字サイズ: 50 µm × 50 µm
線幅: 10 µm
金属層: 30 nm Chromium

作製プロセス：
フォトリソグラフィ → 金属蒸着 → リフトオフ → 洗浄 → 検査

主な用途

– 電気化学マッピング
– 微小電極の位置決め
– MEMS デバイスのアライメント
– リソグラフィトレーニング
– 微細加工キャリブレーション
– 光学顕微鏡用リファレンス

梱包

4-inch ウェハーの個別梱包
クリーンルーム梱包

カスタムパターンはご要望に応じて対応可能です。