Silicon Carbide (P-type 4H-SiC) Single Crystal Substrates

Silicon Carbide (SiC) Single Crystal Substrates (Wafers)

物理的特性（3C-SiC vs 4H-SiC vs 6H-SiC）：
– 格子定数：
– 4H-SiC: a=3.076 Angstrom, c=10.053 Angstrom
– 6H-SiC: a=3.073 Angstrom, c=15.117 Angstrom
– 3C-SiC: a=4.3596 Angstrom（Cubic・閃亜鉛鉱型）
– 積層順序: 3C (ABC) / 4H (ABCB) / 6H (ABCACB)
– モース硬度: ≈ 9.2
– 密度: 3.21 g/cm³
– 熱膨張係数: 4-5 x 10⁻⁶/K
– 熱伝導率（@298K）：
– N型: a~4.2 W/cm·K, c~3.7 W/cm·K
– 半絶縁性: a~4.9 W/cm·K, c~3.9 W/cm·K
– バンドギャップ: 2.36 eV (3C) / 3.23 eV (4H) / 3.02 eV (6H)
– 絶縁破壊電界: 3-5 x 10⁶ V/cm

標準仕様（4 inch ウェハー）：

1. 方位
– 4H-N: オフ軸: 4.0° toward <11-20> ±0.5°
– 4H-SI: オン軸: <0001> ±0.5°

2. 抵抗率
– 4H-N: 0.015 ~ 0.025 ohm-cm
– 4H-SI: ≥ 1E7 ohm-cm

3. 表面品質
– 粗さ（研磨）: Ra ≤ 1 nm
– 粗さ（CMP）: Ra ≤ 0.5 nm
– TTV / Bow / Warp: ≤10μm / ≤25μm / ≤35μm（Z・P グレード）
– エッジ除外領域: 2 mm

4. 欠陥検査（高輝度光）
– クラック: なし（Z/P グレード）
– ヘックスプレート: 累積面積 ≤ 0.05%（Z グレード）
– ポリタイプ領域: なし（Z/P グレード）
– スクラッチ: なし（Z/P グレード）

上記の物理的特性および標準仕様は、一般的な 4H-SiC・6H-SiC ポリタイプの参考値です。本ウェハーの具体的なポリタイプ、ドーピングタイプ、結晶方位、抵抗率、グレードはお見積り時に確定いたします。目的の用途をお知らせいただければ、それに合わせた仕様をご提案いたします。