LPCVD Si₃N₄ on Si (100) Substrate | 100 nm–1 μm

LPCVD Si₃N₄ on Si (100) Substrates

※日本円による参考価格（日本の消費税は含まれません）

LPCVD Si₃N₄ on Silicon Substrates (Si (100))

概要
当社の LPCVD 窒化ケイ素（Si₃N₄）基板は、高密度 LPCVD 窒化ケイ素膜をコーティングした研究グレードの Si (100) ウェハーから精密切断されています。

LPCVD Si₃N₄ は、高い膜均一性、高い絶縁耐力、良好な機械的特性、低い欠陥密度を備えており、これらの基板は MEMS 研究、誘電体研究、微細加工実験に適しています。

層構造
Si₃N₄（窒化ケイ素層）
Si (100) 基板

推奨膜厚
200 nm – 標準的な誘電体／マスキング層
300 nm – 一般的な微細加工に推奨
500 nm – 機械構造用の厚い窒化膜層

対応サイズ
5 × 5 mm
10 × 10 mm
15 × 15 mm

基板仕様
結晶方位: Si (100)
タイプ: N-type
抵抗率: 1–10 Ω·cm
表面仕上げ: Single-side polished (SSP)
構成: Single-side Si₃N₄ (standard)

成膜プロセス
低圧化学気相成長法（LPCVD）
高い膜密度
良好な機械的特性
高い膜厚均一性

主な用途
MEMS デバイスの試作
ハードマスク層
誘電体分離研究
機械的メンブレン構造
フォトニックデバイスプラットフォーム

品質と梱包
研究グレードのウェハー品質
クリーンルーム対応の取り扱い
汚染を防ぐ丁寧な梱包

カスタム厚さおよびサイズは、ご要望に応じて対応いたします。

オプション1	10 × 10 mm Si \| 200 nm LPCVD Si₃N₄, 10 × 10 mm Si \| 300 nm LPCVD Si₃N₄, 10 × 10 mm Si \| 500 nm LPCVD Si₃N₄, 15 × 15 mm Si \| 200 nm LPCVD Si₃N₄, 15 × 15 mm Si \| 300 nm LPCVD Si₃N₄, 5 × 5 mm Si \| 200 nm LPCVD Si3N4, 5 × 5 mm Si \| 300 nm LPCVD Si3N4

LPCVD Si₃N₄ on Si (100) Substrates