バルク結晶

HgPSe₃ Crystals

価格帯: ¥107,917 – ¥123,026

※日本円による参考価格（日本の消費税は含まれません）

オプション1

クリア

オプションを選択のうえお見積もりをご依頼ください

説明
追加情報

HgPSe₃ Crystals

HgPSe₃ は、遷移金属チオホスファート系に属する層状ファンデルワールス材料です。独自の半導体特性および光学特性を示し、光電子工学、エネルギー貯蔵、2次元材料研究に有望な材料です。当社の HgPSe₃ 結晶は化学気相輸送(CVT)法により、高純度・精密な化学量論比・高い結晶性を備えて合成されます。

サンプルサイズオプション:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²

材料特性:
層状ファンデルワールス構造: 薄層への剥離を促進し、ナノスケール研究に適用できます。
半導体特性: 光電子工学用途に応用可能な間接バンドギャップ(約1.8 eV)を示します。
光学特性: 可視から近赤外域にかけての強い吸収特性を有します。
環境安定性: 管理された不活性条件下で安定した特性を維持します。

結晶構造:
タイプ: Monoclinic層状構造
特徴: 劈開可能な層構造を持ち、薄膜作製や2次元材料研究に適用できます。

剥離性:
使いやすさ: 特殊なデバイス用途に向けて容易に単層または数層シートへ剥離します。

その他の特性:
光電子工学への応用可能性: 高いフォトルミネッセンスと強い吸収特性により、フォトニックデバイスに応用できます。エネルギー

主な用途: エネルギー貯蔵や光触媒作用への応用が期待されます。
異方性特性: 方向依存性を持つ電子的・光学的挙動を示します。

主な用途:
光電子工学:
光検出器、発光デバイス、太陽電池に応用できます。
2次元材料研究:
薄層への剥離やファンデルワールスヘテロ構造への組み立てに応用できます。エネルギー

主な用途:
熱電デバイスや光触媒デバイスへの応用が期待されます。量子材料研究:
低次元半導体特性の研究を可能にします。センサー:
環境刺激に対する高い感度を持ち、ガスセンシングや化学センシングに応用できます。