Hafnium (Hf) Sputtering Target, 99.95% Purity, Circular (Price Upon Request)

Hafnium (Hf) Sputtering Target, 99.95% Purity, Circular (Price Upon Request)

Nanostore の Hafnium (Hf) スパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、および実験室での薄膜成膜に用いる純度 99.95% の高融点金属 PVD ソース材料です。 研究、開発、小ロットのプロセス検討向けに円形ターゲット形状で提供され、クリーンな取り扱い、寸法の安定性、一貫した材料同一性が重視される用途に適しています。 価格は、選択される寸法およびその時点の材料市況により最終費用が変動するため、お問い合わせに応じてご案内いたします。

主な特長

ソース材料
ソース組成の管理と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、純度 99.95% で提供されます。

円形ターゲット形状
円形直径は、1 inch diameter (25.4 mm), 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.94 inch diameter (100 mm) などをご用意しています。厚さおよびマウントのオプションには、選択する構成に応じて、3 mm thick, 4 mm thick, 5 mm thick, 6 mm thick, 6.35 mm thick などがあります。

管理された加工と検査
ターゲットの製作工程には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。 組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法により裏付けられます。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包を施したうえで、成膜用途向けに準備されます。 乾燥環境で密封保管し、清浄な手袋で取り扱い、装着前には油分、粉塵、湿気などによる表面汚染との直接接触を避けてください。

材料特性と技術指標

以下の材料物性値は、材料選定、ソース装填、プロセス設計、薄膜成膜評価のための参考技術指標として提供しています：

– 元素記号: Hf

– CAS番号: 7440-58-6

– 密度: 13.31 g·cm⁻³

– 物理状態: solid

– 融点: 2233 °C

– 沸点: 4603 °C

– 融解熱: 27.2 kJ·mol⁻¹

– 比熱容量: 25.73 J·mol⁻¹·K⁻¹

– 結晶構造: hexagonal close-packed

– 熱膨張係数: (25 °C) 5.9 µm·m⁻¹·K⁻¹

– 熱伝導率: 23.0 W·m⁻¹·K⁻¹

– 電気抵抗率: (20 °C) 331 nΩ·m

– ヤング率: 78 GPa

– せん断弾性率: 30 GPa

– 体積弾性率: 110 GPa

– ポアソン比: 0.37

– モース硬度: 5.5

– ビッカース硬度: 1520-2060 MPa

– ブリネル硬度: 1450-2100 MPa

主な用途

– ハフニウム薄膜の成膜；high-k 誘電体およびゲートスタックの研究；高融点金属コーティングの研究；Hf PVD プロセス開発
– 大学・産業界・パイロットスケールでの薄膜プロセス開発