Graphite (C) Chamfered Crucible, 99.99% Purity (Request Current Price)

Graphite (C) Chamfered Crucible, 99.99% Purity (Request Current Price)

Nanostore の Graphite (C) 面取りるつぼは、薄膜研究施設、真空コーティング装置、熱蒸着装置、PVD 研究ワークフロー向けに提供される成膜用アクセサリーです。 クリーンなソース装填、治具交換、および高純度の成膜作業との適合性が重要となる、管理された材料の取り扱いを目的としています。 価格は、構成、梱包サイズ、その時点の材料の在庫状況によって変動するため、最新のお見積りが必要です。

主な特長

実験室向け真空システム用成膜アクセサリー
蒸着、PVD、および研究用コーティングワークフローにおいて面取りるつぼとして使用するよう設計されています。

材質と構成のオプション
材質または純度のオプションには 99.99% (4N), 材質: Graphite (C) があります。構成オプションには 7 cc capacity, 15 cc capacity, 40 cc capacity, 25 cc capacity, Top OD 1.67 in (42.49 mm); Height 0.768 in (19.5 mm); Wall thickness 0.0929 in (2.36 mm); D chamfer angle 15 deg; chamfered; per drawing があります。

クリーンな取り扱いと保管
乾燥環境で密封保管してください。清浄な手袋またはピンセットで取り扱い、設置前には油分、粉塵、湿気、表面汚染を避けてください。

技術仕様

材質: Graphite (C)
アクセサリー種別: Chamfered Crucible
純度／材質オプション: 99.99% (4N), 材質: Graphite (C)
対応容量／寸法オプション: 7 cc capacity, 15 cc capacity, 40 cc capacity, 25 cc capacity, Top OD 1.67 in (42.49 mm); Height 0.768 in (19.5 mm); Wall thickness 0.0929 in (2.36 mm); D chamfer angle 15 deg; chamfered; per drawing
梱包オプション: each
カテゴリ: Deposition Accessories
用途: Thermal evaporation, PVD setup, vacuum coating, source containment, and laboratory deposition support

材料特性と技術指標

以下の材料物性値は、材料選定、ソース装填、プロセス設計、薄膜成膜評価のための参考技術指標として提供しています：

– 元素記号: C
– CAS番号: 7782-42-5
– 物理状態: solid
– 昇華点: 3642 °C
– 三重点: 4327 °C
– 結晶構造: hexagonal
– 磁気秩序: diamagnetic

品質管理および取り扱い指標

元の商品ページに基づく追加の技術指標：

– 分析検査: ICP 不純物／組成分析。
– 検査項目: 寸法確認。

主な用途

– 熱蒸着および電子ビーム蒸着におけるソース収容
– 高温真空成膜用アクセサリーとしての使用
– 実験室での PVD プロセスセットアップおよび材料装填
– 研究用コーティング装置向けカスタムるつぼの選定
– 大学・産業界・パイロットスケールでの薄膜研究