Germanium Disulfide (GeS₂) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular

Germanium Disulfide (GeS₂) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular

Nanostore の Germanium Disulfide (GeS₂) スパッタリングターゲットは、純度 99.99% のカルコゲナイド化合物 PVD ソース材料であり、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、および実験室での薄膜成膜に対応します。研究・開発・小ロットのプロセス作業向けに、円形ターゲット形状で供給されます。

主な特長

ソース材料
薄膜ワークフロー向けに 純度 99.99% で供給されます。

円形ターゲット形状
円形直径として 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm) などをご用意しています。厚さおよびマウントオプションには、選択される構成に応じて 3 mm thick, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 3 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim などがあります。

管理された加工と検査
ターゲットの製作工程には、材料選定、成形、熱処理、機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法によりサポートされる場合があります。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包により、成膜用途にそのまま使用できる状態で準備されます。乾燥した環境で密封して保管し、清潔な手袋で取り扱い、取り付け前に油分、ほこり、湿気、その他の表面汚染との直接接触を避けてください。

技術仕様

材質: Germanium Disulfide (GeS₂)
純度／組成: 99.99% Purity
形状: Circular sputtering target
対応直径: 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm)
対応厚さ／バッキングオプション: 3 mm thick, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 3 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim
装置: Single-target sputtering systems, multi-target sputtering systems, ion sputtering systems, and magnetron sputtering equipment
梱包: Protective target packaging for laboratory shipment and storage

主な用途

– GeS₂ 薄膜の成膜；カルコゲナイドガラスおよび赤外材料の研究；含硫黄半導体膜の研究；GeS₂ PVD プロセス開発
– 学術・産業・パイロットスケールの薄膜プロセス開発