CuInP₂S₆ Crystals
CuInP₂S₆は、ファンデルワールス構造を持つ層状の強誘電体材料で、強誘電性・オプトエレクトロニクス特性・量子特性で知られています。光吸収、可変バンドギャップ、自発分極を示し、メモリデバイス、オプトエレクトロニクス、2D材料研究の用途に使用されます。
サンプルサイズオプション:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²
Crystals larger than 100 mm²
材料特性:
層状ファンデルワールス構造:研究向けに、薄層への剥離を可能にします。
強誘電特性:メモリおよびスイッチングデバイスに用いられる自発分極を示します。
光吸収:フォトニクス用途向けに可視スペクトル領域で吸収を示します。
可変バンドギャップ:電子およびオプトエレクトロニクスデバイス向けです。
結晶構造:
タイプ:層状Hexagonal構造
特徴:薄膜作製およびナノスケール研究向けのへき開可能な層構造です。
剥離性:
剥離:2D材料研究およびデバイス作製向けに、単層または数層シートへ容易に剥離します。
その他の特性:
強誘電スイッチング:分極制御を必要とするメモリおよびロジックデバイス向けです。エネルギー
用途:光起電力および熱電システム向けです。
量子研究の機会:電子的・強誘電的現象の連成に関する研究を可能にします。
用途:
オプトエレクトロニクス:
光検出器、光起電力デバイス、光センサー向けです。強誘電体デバイス:
メモリ、ロジック、その他の分極スイッチング技術向けです。量子材料研究:
強誘電性と量子輸送特性の連成に関する研究向けです。
2D材料研究:
単層への剥離およびファンデルワールスヘテロ構造への統合向けです。エネルギー
用途:
エネルギー貯蔵、熱電、触媒技術向けです。
| オプション1 | > 10 mm², > 100 mm², > 25 mm² |
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