Bismuth Germanate (BGO, Bi₄Ge₃O₁₂) Single Crystal Substrates

Bismuth Germanate (BGO) Single Crystal Substrates

用途：
BGO (Bi₄Ge₃O₁₂) は代表的な真性シンチレーション材料です。高い密度と大きな原子番号により、ガンマ線に対する阻止能を持ち、高エネルギー物理（HEP）、陽電子放出断層撮影（PET）スキャナ、地質探査に使用されています。

製品概要：
本製品は、Czochralski（CZ）法により育成された Bismuth Germanate (BGO) 単結晶です。非潮解性（大気中で安定）で化学的にも安定な、Cubicの酸化物結晶です。

物理的特性：
– 材質: Bismuth Germanate (Bi₄Ge₃O₁₂)
– 結晶構造: Cubic System
– 格子定数: a = 10.518 Angstrom
– 密度: 7.13 g/cm³
– 融点: 1050 °C
– 硬度: 5 (Mohs)
– 育成方法: Czochralski (CZ)

標準基板仕様：
– 方位: (100) miscut < 0.5°
– 標準サイズ: 10 x 10 mm
– 標準厚さ: 0.5 mm
– 表面研磨: 片面／両面

カスタマイズ：
– 特殊仕様（サイズ・厚さ）はご要望に応じて対応可能です。